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深圳明佳達(dá)電子有限公司 回收ST功率晶體管：IGBT、功率MOSFET、功率GaN、SiC MOSFET

深圳明佳達(dá)電子有限公司作為中國領(lǐng)先的電子元件回收服務(wù)提供商，憑借其專業(yè)的行業(yè) expertise、全球回收網(wǎng)絡(luò)及符合規(guī)范的處置流程，為各類企業(yè)提供涵蓋多種電子元件產(chǎn)品的全面回收服務(wù)。這些服務(wù)涵蓋廣泛的產(chǎn)品類別，包括集成電路、5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍(lán)牙IC、車聯(lián)網(wǎng)（V2X）IC、汽車級IC、通信IC、人工智能（AI）IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、 Wi-Fi芯片、無線通信模塊、連接器等。這有助于客戶減少庫存、最小化存儲(chǔ)空間，并降低存儲(chǔ)和管理成本。

回收流程：

如果您有需要處理的庫存電子元件，您可以通過郵件列出您希望出售的IC/模塊。我司將派遣專業(yè)人員到貴公司現(xiàn)場進(jìn)行初步檢查和分類，并根據(jù)回收元件的類型、數(shù)量和質(zhì)量等因素提供相應(yīng)的回收價(jià)格。達(dá)成協(xié)議后，可協(xié)商具體的交付安排。

【IGBTs】

ST提供涵蓋300至1700V電壓范圍的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）全面產(chǎn)品組合，屬于STPOWER系列。

導(dǎo)通與關(guān)斷能量損耗的最佳平衡

最高結(jié)溫可達(dá)175°C

寬廣的開關(guān)頻率范圍

提供抗并聯(lián)二極管封裝選項(xiàng)，以提升功率散熱并實(shí)現(xiàn)最佳熱管理。

應(yīng)用領(lǐng)域

ST IGBT 通過在開關(guān)性能與導(dǎo)通狀態(tài)行為之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡，適用于工業(yè)及汽車（AEC-Q101 認(rèn)證）領(lǐng)域，包括通用逆變器、電機(jī)控制、家用電器、暖通空調(diào)、UPS/SMPS、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、太陽能逆變器、牽引逆變器以及車載充電器與快充設(shè)備等應(yīng)用。

【功率MOSFET】

ST功率MOSFET產(chǎn)品組合提供從-100V到1700V的廣泛擊穿電壓范圍，結(jié)合先進(jìn)封裝技術(shù)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。我們的工藝技術(shù)通過增強(qiáng)功率處理能力，利用MDmesh和STMESH溝槽式高壓功率MOSFET以及STripFET低壓功率MOSFET，確保高效率解決方案。

應(yīng)用領(lǐng)域

服務(wù)器與電信電源

微型逆變器

快速充電

汽車

家用及專業(yè)電器

【PowerGaN】

ST POWER GaN 晶體管是基于氮化鎵（GaN）的高效晶體管，這種新型寬禁帶化合物在電源轉(zhuǎn)換解決方案中提供了真正的附加價(jià)值。

當(dāng)今電力電子技術(shù)面臨的主要挑戰(zhàn)是，在不斷提升效率和功率性能的同時(shí)，持續(xù)追求成本和體積的縮減。

氮化鎵（GaN）技術(shù)的引入正朝著這一方向發(fā)展，隨著其商業(yè)化應(yīng)用的日益普及，其在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的使用也在不斷增長。

與硅基器件相比，GaN功率晶體管具有更優(yōu)的性能指標(biāo)（FOM）、更低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和更小的總柵極電荷（QG），同時(shí)具備更高的漏源電壓承受能力、零反向恢復(fù)電荷（或在級聯(lián)結(jié)構(gòu)中可忽略不計(jì)）以及極低的內(nèi)在電容。作為提升電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用效率的領(lǐng)先解決方案，GaN技術(shù)能夠滿足最嚴(yán)苛的能效要求并實(shí)現(xiàn)更高功率密度，因其可在更高頻率下工作，從而縮小系統(tǒng)尺寸。STPOWER GaN晶體管在工業(yè)和汽車應(yīng)用中代表了效率與高頻解決方案的重大突破。

【SiC MOSFETs】

借助STPOWER SiC MOSFETs打造比以往更高效、更緊湊的系統(tǒng)

借助SiC MOSFET，將創(chuàng)新的寬禁帶材料（WBG）優(yōu)勢融入您的下一代設(shè)計(jì)。ST的碳化硅MOSFET提供650至2200 V的擴(kuò)展電壓范圍，其先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)結(jié)合了卓越的開關(guān)性能與極低的單位面積導(dǎo)通電阻。

我們的SiC MOSFET主要特點(diǎn)包括：

汽車級（AG）認(rèn)證器件

極高的溫度處理能力（最大TJ=200°C）

極高的開關(guān)頻率操作和極低的開關(guān)損耗

低導(dǎo)通電阻

與現(xiàn)有IC兼容的柵極驅(qū)動(dòng)

極快且堅(jiān)固的內(nèi)在體二極管

我們的SiC MOSFET產(chǎn)品組合包括最先進(jìn)的封裝（HiP247、H2PAK-7、TO-247長引腳、STPAK和HU3PAK），專門設(shè)計(jì)以滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。