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功率 MOSFET IQD009N06NM5SC 具有 0.9 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散熱性能，便于管理功率損耗。此外，采用雙面冷卻封裝后，耗散功率是包覆封裝的五倍。

IQD009N06NM5SC OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V 正常電平，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)。

IQD009N06NM5SC產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-WHSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 445 A

Rds On-漏源導通電阻: 900 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.3 V

Qg-柵極電荷: 120 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

配置: Single

下降時間: 12 ns

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 9 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 34 ns

典型接通延遲時間: 17 ns

應用領域

PC 電源低壓驅(qū)動

低壓驅(qū)動

電池化成

計算和數(shù)據(jù)存儲

汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)

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