商品名稱:N 溝道功率MOSFET晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
ISC044N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。
OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)的要求。
ISC044N15NM6 的特性
RDS(on) 比 OptiMOS? 5 低 41
FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20
150 V 時(shí)的業(yè)界最低 Qrr
與 OptiMOS? 5 相比,二極管軟性得到改善
+/-500 mV 的嚴(yán)格 Vgs(th) 分布
高雪崩堅(jiān)固性
最大 Tj 為 175°C
ISC044N15NM6 的優(yōu)點(diǎn)
低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗
穩(wěn)定運(yùn)行,改善 EMI
并聯(lián)時(shí)可更好地分擔(dān)電流
優(yōu)化 PCB 面積利用率
增強(qiáng)了穩(wěn)健性
提高系統(tǒng)可靠性
ISC044N15NM6 的應(yīng)用
傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗低
穩(wěn)定運(yùn)行,改善 EMI
并聯(lián)時(shí)可更好地分擔(dān)電流
優(yōu)化 PCB 面積利用率
增強(qiáng)穩(wěn)健性
提高系統(tǒng)可靠性
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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