BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝,與以往的分立解決方案相比,由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低,可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。另外,其柵極驅(qū)動強度可調(diào)節(jié),這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護功能和其他附加功能,可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設計旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器,因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關(guān)。
特點:
Nano Cap? 集成輸出可選 5V LDO
長期支持工業(yè)應用的產(chǎn)品
VDD 引腳電壓工作范圍寬
IN 引腳電壓工作范圍寬
低 VDD 靜態(tài)和工作電流
低傳播延遲
高 dv/dt 抗擾度
可調(diào)柵極驅(qū)動強度
電源良好信號輸出
VDD UVLO 保護
熱關(guān)斷保護
應用:
? 工業(yè)設備、高功率密度、高效率要求或橋式拓撲的電源,如圖騰柱 PFC、LLC 電源、適配器等。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BSM600D12P4G103
BSM600D12P4G103是一款由SiC-DMOSFET組成的半橋功率模塊。非常適用于電機驅(qū)動、逆變器、轉(zhuǎn)換器、光伏發(fā)電、風力發(fā)電和IH設備等應用。BSM600D12P4G103具有以下參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 N-通道(雙)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時電流 - 連續(xù)…BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2是一款 1/4 或 1/3 Duty 通用 LCD 驅(qū)動器。RGA80TSX2HRC11
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