商品名稱：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TSON-6
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IGC037S12S1 是一款 120 V 常閉型電動功率晶體管，采用小型 PQFN 3x5 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。由于其極低的導(dǎo)通電阻，它是在要求苛刻的高電壓和大電流應(yīng)用中實現(xiàn)可靠性能的理想選擇。
特點：
? 超快速開關(guān)和高效率
? 節(jié)省空間且高度堅固的封裝
? 無反向恢復(fù)費用
? 超低柵極電荷和輸出電荷
? 裸露芯片可實現(xiàn)卓越的頂部散熱
? 濕度等級 MSL1
? 工業(yè)級 3x5 封裝
應(yīng)用：
? 電池供電工具
? AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的同步整流
? 機器人和無人機
? 電動汽車、無人機
? 太陽能和儲能系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
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描述
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標(biāo)準MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關(guān)器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢：86-755-83294757
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