商品名稱：NXV08H350XT1
數(shù)據(jù)手冊：
NXV08H350XT1.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：17-PowerDIP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NXV08H350XT1是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊，具有溫度檢測和最低熱阻，適合48V輕度混合動力汽車應用。
規(guī)格
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：80V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.762 毫歐 @ 160A，12V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：320nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：24350pF @ 40V
功率 - 最大值：-
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：通孔
封裝/外殼：17-PowerDIP 模塊（1.390"，35.30mm）
供應商器件封裝：APM17-MDC
基本產(chǎn)品編號：NXV08
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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