商品名稱:MSCSM70XM45CTYZBNMG
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MSCSM70XM45CTYZBNMG 設(shè)備是一個三相橋、制動、軟啟動和電磁功率模塊。具有SiC 功率 MOSFET,低 RDS(導(dǎo)通),高溫性能,開爾文源,易于驅(qū)動。雜散電感低,用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻(可選),高效率轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:6 N-溝道(3 相橋)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):700V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):52A(Tc),110A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):44 毫歐 @ 30A,20V,19 毫歐 @ 40A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 2mA,2.4V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):99nC @ 20V,215nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2010pF @ 700V,4500pF @ 700V
功率 - 最大值:141W(Tc),292W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應(yīng)用
●用于電動機(jī)械致動器 (EMA) 和電動靜電致動器 (EHA) 的混合動力裝置 (HPD)
●高可靠性功率核心模塊 (PCM)
●用于電力驅(qū)動電子裝置 (PDE) 的模塊化功率模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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VSC7425XJG-02
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