商品名稱：FF4MR20KM1H
數據手冊：
FF4MR20KM1H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數量：0 件
FF4MR20KM1H 62 毫米 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 2000 V、3.5 mΩ G1，采用眾所周知的 62 毫米外殼設計和 M1H 芯片技術。還可提供預涂熱界面材料 (TIM)。
產品特性
技術：碳化硅 (SiC)
配置：2 個 N 溝道
技術：碳化硅 (SiC)
漏極至源極電壓 (Vdss)： 2000 V（2 kV）。
25°C 時的連續(xù)漏極電流 (Id)： 280A (Tc)。
不同 Id、Vgs 時的開關電阻（最大值）：300A、18V 時為 5.3 毫歐
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）： 5.15V @ 168mA
最大 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)： 1170nC @ 18V
最大 Vds 時的輸入電容 (Ciss)： 36100pF @ 1.2kV
工作溫度：-40°C ~ 175°C
安裝類型：機箱上
包裝/外殼：模塊
電源包括：AG-62MMHB
應用
● 儲能系統(tǒng)
● 電動汽車充電
● 光伏
● 牽引
● 不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅動標準MOSFET、超結MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側柵極驅動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側和低壓側柵極驅動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側電源開關，采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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