商品名稱：FF4MR20KM1HP
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
FF4MR20KM1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
FF4MR20KM1HP 62 毫米 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 2000 V、3.5 mΩ G1，采用眾所周知的 62 毫米外殼設(shè)計(jì)，采用 M1H 芯片技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 個(gè) N 溝道
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）：2000V（2kV）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：280A（Tc）
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.3 毫歐 @ 300A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.15V @ 168mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：1170nC @ 18V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：36100pF @ 1.2kV
工作溫度：-40°C ~ 175°C
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝：AG-62MMHB
應(yīng)用
● 儲(chǔ)能系統(tǒng)
● 電動(dòng)汽車充電
● 光伏
● 牽引
● 不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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2EDN8534F
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IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢：86-755-83294757
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