商品名稱：BSM250D17P2E004
數(shù)據(jù)手冊：
BSM250D17P2E004.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSM250D17P2E004是由羅姆公司生產(chǎn)的SiC-DMOSFET和SiC-SBD構(gòu)成的“全SiC”半橋模塊。在高溫高濕偏壓試驗(yàn)（HV-H3TRB）中實(shí)現(xiàn)了超過1,000小時(shí)也不發(fā)生絕緣擊穿的高可靠性。由此，在高溫高濕環(huán)境下也可放心耐受1700V高壓。適合以室外發(fā)電系統(tǒng)和充放電試驗(yàn)機(jī)等評(píng)估裝置為代表的工業(yè)設(shè)備用電源的變頻器、轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)： 碳化硅（SiC）
配置： 2 個(gè) N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）： 1700V（1.7kV）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：250A（Tc）
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4V @ 66mA
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 30000pF @ 10V
功率 - 最大值： 1800W（Tc）
工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
供應(yīng)商器件封裝： 模塊
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BSM600D12P4G103
BSM600D12P4G103是一款由SiC-DMOSFET組成的半橋功率模塊。非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、轉(zhuǎn)換器、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電和IH設(shè)備等應(yīng)用。BSM600D12P4G103具有以下參數(shù)：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 N-通道（雙）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）25C 時(shí)電流 - 連續(xù)…
BU97520AKV-ME2
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RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TSX2EHRC11
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RGA80TRX2HRC15
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RGA80TRX2EHRC15
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