商品名稱:BSM120D12P2C005
數(shù)據(jù)手冊:BSM120D12P2C005.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BSM120D12P2C005R OHM Semiconductor SiC功率模塊是在一個封裝中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半橋SiC模塊。這類模塊能在減少開關損耗的同時高頻運行。與現(xiàn)有解決方案相比,此優(yōu)化設計減少了雜散電感。另外,為了防止發(fā)生過熱情況,還提供了集成其他熱敏電阻的E型模塊。
產(chǎn)品屬性
技術:碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 通道(半橋)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Tc)
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 22mA
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):14000pF @ 10V
功率 - 最大值:780W
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:模塊
應用
● 電機驅動
● 變頻器、轉換器
● 光伏、風力發(fā)電。
● 感應加熱設備。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BSM600D12P4G103
BSM600D12P4G103是一款由SiC-DMOSFET組成的半橋功率模塊。非常適用于電機驅動、逆變器、轉換器、光伏發(fā)電、風力發(fā)電和IH設備等應用。BSM600D12P4G103具有以下參數(shù):技術:碳化硅(SiC)配置:2 N-通道(雙)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時電流 - 連續(xù)…BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2是一款 1/4 或 1/3 Duty 通用 LCD 驅動器。RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
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