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產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 1200V 380A 870W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 900 A 底座安裝 AG-ECONOD
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 900 A 底座安裝 AG-ECONOD
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:Artix-7系列現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)IC 150 1843200 33280 324-LFBGA, CSPBGA
封裝:BGA產(chǎn)品說明:鋰離子/聚合物 充電器 IC 24-VQFN(4x4)
封裝:VQFN24產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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