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商品型號:IMZ120R140M1HXKSA1

商品名稱:IMZ120R140M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊:IMZ120R140M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:21+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:240

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMZ120R140M1HXKSA1
封裝
TO-247-4
描述
采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

產(chǎn)品描述

IMZ120R140M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、140 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET,它基于先進的溝槽半導(dǎo)體工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅(Si)基開關(guān)相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。


特征描述

一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗

基準(zhǔn)高閾值電壓,Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓,簡單輕松地進行柵極驅(qū)動

柵源電壓范圍寬

損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向

開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響

驅(qū)動源引腳,優(yōu)化開關(guān)性能


優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復(fù)雜程度


應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案

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型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

G2R1000MT33J

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LSIC1MO120G0025

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TO-263-7

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MSC035SMA070SC

Microchip

D3PAK-3

2000

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IXSH80N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

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IXSH40N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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