SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計明年初出樣。
11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計明年初出樣。
雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。
SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實現(xiàn) 1280GB/s 帶寬的 48GB 16-High HBM3E DRAM，本次推出的產(chǎn)品很可能就是該論文對應(yīng)的研發(fā)成果。
SK 海力士表示其 16-High HBM3E 的 AI 訓(xùn)練性能較上代 12-High 產(chǎn)品提高了 18%，推理性能更是提升了 32%；這款 HBM 內(nèi)存仍采用先進 MR-MUF（批量回流模制底部填充）鍵合技術(shù)，SK 海力士也在開發(fā)性能更為優(yōu)秀的混合鍵合。
在 DRAM 內(nèi)存領(lǐng)域，SK 海力士表示除 16-High HBM3E 外還正在開發(fā)基于 1c nm LPDDR5 和 LPDDR6 的 LPCAMM2，這些內(nèi)存條同時面向 PC 和數(shù)據(jù)中心市場。
而在 NAND 閃存領(lǐng)域，該企業(yè)還準(zhǔn)備了 PCIe 6.0 固態(tài)硬盤、基于 QLC 的大容量企業(yè)級固態(tài)硬盤和下代 UFS 5.0 閃存。
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