深圳市明佳達電子有限公司 供應 TI TPS53830RWZR 用于 DDR5 DIMM 板載電源的集成降壓型數(shù)字轉(zhuǎn)換器TPS53830RWZR 產(chǎn)品描述TPS53830RWZR 是 D-CAP+? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 DIMM 上供電。TPS53830RWZR 為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓，并具…
深圳市明佳達電子有限公司 供應 TI TPS53830RWZR 用于 DDR5 DIMM 板載電源的集成降壓型數(shù)字轉(zhuǎn)換器
TPS53830RWZR 產(chǎn)品描述
TPS53830RWZR 是 D-CAP+? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 DIMM 上供電。TPS53830RWZR 為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓，并具有可配置的電流能力。大電流軌可配置為 2 相或 2 個輸出，通過 D-CAP+? 模式控制提供高達 12 A（或 6 A + 6 A）的電流。TPS53830RWZR 轉(zhuǎn)換器還采用內(nèi)部補償，便于使用并減少外部元件。
TPS53830RWZR 轉(zhuǎn)換器提供全套遙測功能，包括輸入電壓、輸出電壓和輸出電流，還提供過壓、欠壓、過流限制和過溫保護。
TPS53830RWZR 采用熱增強型 35 引腳 QFN 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
TPS53830RWZR 的規(guī)格
輸出電流：6 A
輸入電壓 - 最大值：15 V
最低輸入電壓：4.5 V
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度：+ 105 C
輸入電壓范圍：4.5 V 至 15 V
TPS53830RWZR 的特性
支持 DDR5 應用的單硅設計
3 個輸出，提供 VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和 VPP (1.8V)，可選第 4 個輸出 (VDD2)
對于 3 路輸出，VDD（SWA 雙相）為 12 A，VDDQ（SWC）為 6 A，VPP（SWD）為 5 A。
對于 4 個輸出端，VDD1(SWA) 6 A、VDD2(SWB) 6 A、VDDQ(SWC) 6 A 和 VPP(SWD) 5 A
差分遙感： VDD、VDDQ 和 VPP
D-CAP+? 控制，實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應
寬輸入電壓：4.5 V 至 15 V
可編程內(nèi)部環(huán)路補償
每相逐周期電流限制
可編程頻率：500 kHz 至 1.375 MHz
支持 I2C 和 I3C 總線接口，用于遙測電壓、電流、功率、溫度和故障情況
過流、過壓、過熱保護
持久寄存器（黑盒）功能
低靜態(tài)電流
5 毫米 × 5 毫米、35 引腳、QFN PowerPad? 封裝
TPS53830RWZR 的應用
用于服務器的 DDR5 DIMM 板載電源
TPS53830RWZR 的優(yōu)勢
高效率
TPS53830RWZR 采用同步降壓設計，轉(zhuǎn)換效率高，能量損耗小，適用于要求高效率的應用。
寬輸入電壓范圍
TPS53830RWZR 具有寬輸入電壓范圍，因此適用于各種電源環(huán)境，靈活性高。
高輸出電流
TPS53830RWZR 支持高輸出電流，可滿足高功率要求，適用于高負載應用。
高集成度
TPS53830RWZR 內(nèi)置 MOSFET 和控制器，可簡化設計并減少外部元件，從而節(jié)省空間和成本。
優(yōu)異的熱性能
TPS53830RWZR 采用熱增強型封裝，具有良好的散熱性能，適用于高溫環(huán)境。
全面的保護功能
TPS53830RWZR 提供多種保護功能，如過流、過壓、欠壓和過熱保護，以提高系統(tǒng)可靠性。
靈活的設計
TPS53830RWZR 支持可調(diào)輸出電壓和頻率，以滿足不同的設計要求。
小尺寸封裝
TPS53830RWZR 采用緊湊型封裝，適用于空間受限的應用。
低靜態(tài)電流
低靜態(tài)電流適用于電池供電設備，延長了 TPS53830RWZR 的電池壽命。
符合環(huán)境標準
TPS53830RWZR 符合 RoHS 和其他環(huán)保標準，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。
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