商品名稱:NVG800A75L4DSC2
數(shù)據(jù)手冊:NVG800A75L4DSC2.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVG800A75L4DSC2是功率模塊系列中的一款,具有雙側冷卻和緊湊的基底面,適用于混合動力 (HEV)電動汽車 (EV) 牽引逆變器應用。該模塊由兩個半橋配置的窄間距場截止 (FS4) IGBT 組成半橋配置。該芯片組采用新型窄介IGBT 技術,可提供高電流密度和穩(wěn)健的短路保護,并具有更高的阻斷電壓。短路保護,從而在電動汽車牽引應用中提供出色的性能。NVG800A75L4DSC2采用液冷散熱器參考設計、損耗模型和 CAD模型,以支持客戶的逆變器設計。NVG800A75L4DSC2具有雙側冷卻,集成芯片級溫度和電流傳感器,連續(xù)工作時 Tvj 最大值 = 175°C,低電感,低傳導和開關損耗,汽車級,4.2 kV 隔離 DBC 基底面,AEC 認證和 PPAP 能力,該器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:-
配置:半橋逆變器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):750 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):550 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,600A
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):43000 pF @ 30 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:15-PowerDIP 模塊(2.441",62.00mm)
供應商器件封裝:AHPM15-CEA
應用
? 混合動力和電動汽車牽引逆變器
? 大功率 DC-DC 轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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