商品名稱:N 溝道功率 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IPW60R024CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反向恢復(fù)電荷(Qrr)比 CFD7 低 3%,并且具有市場(chǎng)上最低的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。
IPW60R024CM8的特點(diǎn)
業(yè)界領(lǐng)先的R DS(on)*A
顯著降低損耗
卓越的換向耐受性
集成快速體二極管
.XT互聯(lián)
靜電放電(ESD)保護(hù)
IPW60R024CM8的優(yōu)勢(shì)
提升功率密度
易于使用和快速設(shè)計(jì)集成
低振鈴傾向
簡(jiǎn)化的熱管理
簡(jiǎn)化的產(chǎn)品組合
IPW60R024CM8的應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器、電信電源供應(yīng)
微型和住宅混合逆變器
便攜式和住宅能源存儲(chǔ)、UPS
電動(dòng)汽車(chē)充電、輕型電動(dòng)車(chē)輛、電動(dòng)叉車(chē)
高壓固態(tài)電力分配
家用及專業(yè)工具
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPD60R950C6
IPD60R950C6是一款600V N 溝道功率 MOSFET,屬于 CoolMOS? C6 系列。S25FL128SDSBHI213
S25FL128SDSBHI213 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過(guò) SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSBHI213 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車(chē)MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…S25FL128SDSMFBG13
S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過(guò) SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說(shuō)明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針?lè)庋b的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…電話咨詢:86-755-83294757
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