商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-LHDSO-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IAUCN08S7N016 是一款采用 Infineon 領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體技術(shù)構(gòu)建的OptiMOS? 7 80V 汽車 MOSFET。該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的頂部冷卻 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封裝。IAUCN08S7N016專為滿足要求苛刻的汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而設(shè)計(jì)。
主要規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):175A(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.63 毫歐 @ 88A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.2V @ 114μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):107 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):7394 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):205W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-LHDSO-10
應(yīng)用場(chǎng)景
IAUCN08S7N016適用于新能源汽車、工業(yè)控制、電源管理等對(duì)功率密度、散熱及穩(wěn)定性要求較高的場(chǎng)景。 ?
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
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IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
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