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產(chǎn)品分類

AI 處理器

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商品型號:IXFH60N65X2-4

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:IXYS

年份:23+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3360

數(shù)量:
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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
IXYS
型號
IXFH60N65X2-4
封裝
TO-247-4
描述
通孔 N 通道 650 V 60A(Tc) 780W(Tc) TO-247-4L

產(chǎn)品描述

IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? X2-Class 系列,采用 TO-247-4L 封裝,適用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)動及工業(yè)逆變器 等應(yīng)用。該器件采用超結(jié)技術(shù),具有 低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、高電流承載能力及優(yōu)異的雪崩耐量,可顯著提升系統(tǒng)效率并增強可靠性。


IXFH60N65X2-4 特性

高耐壓:650V 漏源電壓(VDS),適用于 工業(yè)電源及新能源逆變器 等高電壓場景。

高電流能力:60A 連續(xù)漏極電流(ID)(殼溫25°C時),脈沖電流 120A,滿足瞬態(tài)高負載需求。

低導(dǎo)通電阻:52mΩ(最大值)@10V VGS, 30A ID,減少傳導(dǎo)損耗。

快速開關(guān)性能:柵極電荷(Qg)= 108nC @10V,優(yōu)化高頻驅(qū)動效率。

上升時間23ns / 下降時間12ns,適用于 PWM控制應(yīng)用。

強固性設(shè)計:780W 最大功率耗散(殼溫25°C),支持高功率應(yīng)用。

雪崩能量耐受,增強抗電壓沖擊能力。

寬溫工作范圍:-55°C ~ +150°C(結(jié)溫),適應(yīng)嚴苛工業(yè)環(huán)境。

TO-247-4L 封裝:通孔安裝,自帶散熱片,優(yōu)化熱性能。

低封裝電感:減少高頻開關(guān)噪聲。


IXFH60N65X2-4 典型應(yīng)用

電源轉(zhuǎn)換:PFC(功率因數(shù)校正)電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器。

電機驅(qū)動:工業(yè)伺服系統(tǒng)、電動汽車輔助電機。

逆變器:太陽能逆變器、UPS不間斷電源。

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型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPA60R199CP

INFINEON

PG-TO220-3

5000

CoolMOS?功率晶體管 通孔 N 通道 650 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31

IRFB3306GPBF

INFINEON

TO-220

3000

60V 單極性N溝道強IRFET?功率MOSFET,采用TO-220封裝

BSZ520N15NS3G

INFINEON

PG-TSDSON-8

5000

OptiMOS?3 功率晶體管 N 通道 150 V 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TSDSON-8

VND5N07TR

ST

DPAK-3

15200

OMNIFET:全自動保護功率MOSFET

BSC052N08NS5

INFINEON

PG-TDSON-8

13100

OptiMOS? 5 80V 功率MOSFET,適用于電信應(yīng)用

NTHL040N65S3HF

ON

TO-247-3

2000

N-通道功率MOSFET,650 V,65 A,40 mΩ,TO-247-3

NTH4L040N65S3F

ON

TO-247-4

2000

N-通道功率MOSFET,650 V,65 A,40 mΩ,TO-247-4

NTMT125N60S5H

ON

TDFN4

2000

N-通道功率MOSFET,600 V,22 A,125 mΩ,Power88

NTBL125N60S5H

ON

8-HPSOF

2000

N-通道功率MOSFET,600 V,22 A,125 mΩ,TOLL

NTBL150N60S5H

ON

8-HPSOF

3000

N-通道功率MOSFET,600 V,19 A,150 mΩ,TOLL

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IXYS

IXYS

IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…

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