NCV4269AD133R2G是一款 5.0V 精確微功耗穩(wěn)壓器,輸出電流為 150mA。 輸出電壓準(zhǔn)確度范圍為 ±2.0%, 100mA 下的最大漏電壓為 0.5V。微處理器控制邏輯包括一個帶延遲的有效重置輸出 RO 及一個 SI/SO 監(jiān)控器,該監(jiān)控器可用于向微處理器提供潛在的即將出現(xiàn)的重置信號的預(yù)警信號。由于采用了 SI/SO 監(jiān)控器,在重置關(guān)閉微處理器之前,微處理器就可完成任何信號處理。有效重置電路可在低至 1.0 V 的輸出電壓下正常運行。在電源啟動過程中或在正常運行期間,如輸出壓降超出規(guī)定限值,則激活重置功能。可將外部電阻分壓器聯(lián)接至 RADJ 引線,從而降低重置閾值電壓。穩(wěn)壓器可防止電池逆向、短路和熱過載的情況發(fā)生。此器件可承受負(fù)載轉(zhuǎn)儲瞬變,適用于汽車環(huán)境。
NCV4269AD133R2G產(chǎn)品特性
產(chǎn)品種類:低壓差穩(wěn)壓器
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
輸出電壓: 3.3 V
輸出電流: 150 mA
輸出端數(shù)量: 1 Output
極性: Positive
靜態(tài)電流: 190 uA
輸入電壓 - 最小值: 5.5 V
輸入電壓 - 最大值: 45 V
輸出類型: Fixed
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
回動電壓: 500 mV
資格: AEC-Q100
系列: NCV4269A
回動電壓—最大值: 500 mV
線路調(diào)整率: 10 mV
負(fù)載調(diào)節(jié):10 mV
NCV4269AD133R2G產(chǎn)品應(yīng)用
發(fā)動機控制單元
動力總成
車身和底盤
工業(yè)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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