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DIF120SIC022是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，由于SiC材料的特性，DIF120SIC022器件的開關(guān)損耗較低。相比傳統(tǒng)的硅（Si）器件，SiC器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的損耗更小，這有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性?。此外，DIF120SIC022器件適用于高頻應(yīng)用，能夠在高頻條件下穩(wěn)定工作，這對于需要高速開關(guān)的應(yīng)用尤為重要?。

技術(shù)參數(shù)

封裝 / 箱體：TO-247-4

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：120 A

Rds On-漏源導通電阻：22.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 4 V, + 18 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：269 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：340 W

通道模式：Enhancement

商標名：DIF120SIC022

商標：Diotec Semiconductor

配置：Single

下降時間：35 ns

正向跨導 - 最小值：41.5 S

產(chǎn)品：MOSFETs

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：38 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：108 ns

典型接通延遲時間：150 ns

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