商品名稱:NCP1252ADR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCP1252ADR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOP8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:40000 件
NCP1252ADR2G控制器提供了建立成本效益高且可靠的交流-直流開關(guān)電源所需的一切,專用于ATX電源。由于使用了內(nèi)部固定的定時器,NCP1252ADR2G可以檢測到輸出過載,而無需依賴輔助的Vcc。斷電輸入提供了對低輸入電壓的保護,提高了轉(zhuǎn)換器的安全性。最后,SOIC-8封裝節(jié)省了PCB空間,是成本敏感項目的首選解決方案。
特點
? 峰值電流模式控制
? 可調(diào)節(jié)的開關(guān)頻率高達500 kHz
? 抖動頻率為開關(guān)頻率的±5%。
? 鎖定的初級過電流保護,有10毫秒的固定延遲
? 在E版中延遲延長至150毫秒
? 通過內(nèi)部固定定時器啟動時的延遲操作 (僅A、B和C版本)
? 可調(diào)節(jié)的軟啟動定時器
? 自動恢復斷電檢測
? 類似于UC384X的UVLO閾值
? Vcc范圍從9V到28V,帶自動恢復UVLO
? 內(nèi)部160 ns前緣消隱
? 可調(diào)節(jié)的內(nèi)部斜率補償
? +500 mA / -800 mA源/灌注能力
? 最大50%的占空比: A版
? 最大80%的占空比: B版本
? 最大65%的占空比: C版
? 最大47.5%的占空比: D和E版本
? 為更新的無負載調(diào)節(jié)規(guī)范做好準備
? SOIC-8和PDIP-8封裝
? 這些是無鉛器件
典型應用
? 用于PC銀盒、游戲適配器的電源
? 反激式和正激式轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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