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SCT4026DW7是一款750V、51A的Nch SiC功率MOSFET。

規(guī)格：

產(chǎn)品種類:MOSFET

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-4

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:31 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:60 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:165 W

通道模式:Enhancement

系列:SCT3x

配置:Single

下降時間:12 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:4.4 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:13 ns

工廠包裝數(shù)量: 30

子類別:MOSFETs

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:5 ns

零件號別名:SCT3080KR

單位重量:6 g

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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