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650V IXYP60N65A5 XPT? GenX5?溝槽式IGBT采用專有的XPT薄景園技術和先進的第5代 (GenX5) 溝槽式IGBT工藝研發(fā)而成。該器件具有低熱阻、低能耗、快速開關、低拖尾電流和高電流密度等特性。 XPT GenX5溝槽式IGBT具有方形反向偏置安全工作區(qū) (RBSOA)，擊穿電壓高達650V，因此非常適合用于無緩沖硬開關應用。

器件規(guī)格：

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：134 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：260 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.35V @ 15V，36A

功率 - 最大值：395 W

開關能量：600μJ（開），1.45mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：128 nC

25°C 時 Td（開/關）值：28ns/230ns

測試條件：400V，36A，5 歐姆，15V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220（IXYP）

基本產(chǎn)品編號：IXYP60

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