商品名稱:NXH35C120L2C2SG
數(shù)據(jù)手冊:NXH35C120L2C2SG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:26-DIP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NXH35C120L2C2SG是采用轉換器-逆變器-制動 (CIB) 和轉換器-逆變器 (CI) 配置的DIP-26 1200V傳輸模壓功率集成模塊 (TMPIM)。模塊包含六個1.2kV IGBT、六個1.6kV整流器和一個用于系統(tǒng)級溫度監(jiān)控的NTC熱敏電阻器。其末尾為“SG”的CIB型號還具有一個額外的1.2kV IGBT和一個二極管。
產品規(guī)格:
IGBT 類型:-
配置:三相反相器,帶制動器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):35 A
功率 - 最大值:20 mW
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,35A
電流 - 集電極截止(最大值):250 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):8.333 nF @ 20 V
輸入:三相橋式整流器
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:26-PowerDIP 模塊(1,199",47,20mm)
供應商器件封裝:26-DIP
基本產品編號:NXH35
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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