商品名稱：CAT25512HU5I-GT3
數(shù)據(jù)手冊：
CAT25512HU5I-GT3.PDF
品牌：ON
年份：1749+
封裝：UDFN8
貨期：原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量：24000 件
CAT25512是EEPROM串行512?Kb SPI設備內部組織為64Kx8位。這是一個128?字節(jié)頁寫入緩沖區(qū)，并支持串行外圍接口（SPI）協(xié)議。該設備通過芯片選擇（CS）輸入啟用。此外，所需的總線信號是時鐘輸入（SCK）、數(shù)據(jù)輸入（SI）和數(shù)據(jù)輸出（SO）線。HOLD輸入可用于暫停與CAT25512設備的任何串行通信。該設備具有軟件和硬件寫保護功能，包括部分和全陣列保護。
片上ECC（糾錯碼）使該器件適用于高可靠性應用。
特征
? 20 MHz SPI兼容
? 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍
? SPI模式（0,0）和（1,1）
? 128?字節(jié)頁寫入緩沖區(qū)
? 具有永久寫入保護的附加標識頁
? 自我?定時寫入周期
? 硬件和軟件保護
? 塊寫入保護
? 保護1/4、1/2或整個EEPROM陣列
? 低功耗CMOS技術
? 1000000編程/擦除周期
? 100年數(shù)據(jù)保留
? 工業(yè)和擴展溫度范圍
? SOIC，TSSOP 8?引線，UDFN 8?襯墊
? 此設備為Pb?無鹵素/無BFR，符合RoHS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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