商品名稱:碳化硅 MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IMZA65R033M2H:650V,33mΩ,碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-4
型號:IMZA65R033M2H
封裝:TO-247-4
類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管
IMZA65R033M2H - 產(chǎn)品屬性:
產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 53 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 41 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.6 V
Qg-柵極電荷: 34 nC
最小工作溫度: - 55℃
最大工作溫度: + 175℃
Pd-功率耗散: 194 W
應(yīng)用:
儲能系統(tǒng)
單相組串式逆變器解決方案
電動汽車快速充電
型號
品牌
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數(shù)量
描述
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
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