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IMW65R033M2H是一款 650V、33mΩ、194W、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管，采用TO-247-3封裝，便于集成和散熱。

型號：IMW65R033M2H

封裝：TO-247-3

類型：碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管

IMW65R033M2H - 產(chǎn)品規(guī)格：

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

安裝風格: 通孔

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 53 A

Rds On-漏源導通電阻: 41 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.6 V

Qg-柵極電荷: 34 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 194 W

應用領(lǐng)域：

儲能系統(tǒng)

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