商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
英飛凌的IMDQ75R016M1H CoolSiC? MOSFET 750 V 是一款高度堅(jiān)固的 SiC MOSFET,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。
CoolSiC? MOSFET 750 V 充分利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和堅(jiān)固性方面都具有優(yōu)勢(shì),并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性,從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì),提高了成本效益,實(shí)現(xiàn)了最高的效率和功率密度。創(chuàng)新的頂部-側(cè)面冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了 CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì),提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更低的系統(tǒng)和裝配成本。
IMDQ75R016M1H特征描述
高度堅(jiān)固的 750 V 技術(shù)
同類最佳的 RDS(on) x Qfr
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
同時(shí)具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能
100% 經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試
.XT 互連技術(shù),具有同類最佳的散熱性能
尖端的頂部冷卻封裝
IMDQ75R016M1H產(chǎn)品規(guī)格
系列: CoolSiC?
包裝: 卷帶(TR)剪切帶(CT)
零件狀態(tài): 在售
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss): 750 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 98A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 15毫歐 @ 41.5A,20A
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 80 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +23V,-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 2869 pF @ 500 V
功率耗散(最大值): 384W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-HDSOP-22-1
封裝/外殼: 22-PowerBSOP 模塊
IMDQ75R016M1H潛在應(yīng)用
固態(tài)繼電器 (SSR)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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