商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
C2M1000170J 是 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管,可實現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
特點
高阻塞電壓,低 RDS(導通)
高速開關,低電容
本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低
易于并聯(lián),驅(qū)動簡單
寄生電感低
漏極和源極之間的爬電和間隙距離寬
優(yōu)點
更高的系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
提高功率密度
提高系統(tǒng)開關頻率
獨立的開爾文源引腳降低了源電感,開關損耗最多可降低 30
優(yōu)化的封裝,漏極和源極之間具有較寬的爬電距離和間隙(約 8 毫米),可提供額外的電氣隔離,適用于高污染環(huán)境
應用
輔助電源
開關模式電源
電源逆變器
1500 V 太陽能逆變器
高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
電機驅(qū)動器
脈沖電源應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻塞電壓,低導通電阻高速開關,低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關,低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用,如感應加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎設施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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