商品名稱：MOSFET 晶體管
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
C3M0075120K - 1200V、75mohm 碳化硅 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
主要特性
- 第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術
- 優(yōu)化封裝，具有獨立的驅動源引腳
- 漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米
- 阻塞電壓高，導通電阻低
- 高速開關，低電容
- 快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)
- 無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范
應用
- 可再生能源
- 電動汽車電池充電器
- 高壓 DC/DC 轉換器
- 開關模式電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻塞電壓，低導通電阻高速開關，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術優(yōu)化封裝，具有獨立的驅動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關損耗，最大限度地減少柵極振鈴…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅動源引腳高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容本征二極管速度快，反向恢復 (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅動源引腳高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容本征二極管速度快，反向恢復 (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用，如感應加熱、軌道/牽引、電機驅動器和電動汽車充電基礎設施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…電話咨詢：86-755-83294757
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