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汽車IGBT模塊DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-通道碳化硅模塊

產(chǎn)品介紹

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1是mosfet陣列1200V,45A,20mW底盤安裝,2N通道晶體管模塊。

規(guī)格

產(chǎn)品狀態(tài)：激活

技術(shù):碳化硅(SiC)

配置:2個N溝道

特點:碳化硅(SiC)晶體管

漏極到源極電壓（Vdss）：1200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C:45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs:16.2mOhm @ 50A, 18V

Vgs(th)（最大值）@ Id:5.15V @ 20mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs:149nC @ 18V

輸入電容（Ciss）（最大值） @ Vds:4400pF @ 800V

功率 - 最大:20mW

工作溫度:-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型：機箱安裝

特性介紹

電氣特性

VDSS = 1200 V

IDN = 50 A / IDRM = 100 A

低電感量設計

高電流密度

機械特性

集成NTC溫度傳感器

PressFIT接觸技術(shù)

由于集成了安裝夾子，所以安裝很牢固

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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