NTMYS014N06CLTWG適用于緊湊和高效設(shè)計的工業(yè)用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。
特點
? 占用空間?。?x6 毫米),設(shè)計緊湊
? 低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
? 低 QG 和電容,將驅(qū)動器損耗降至最低
? LFPAK4 封裝,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
? 這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :12A(Ta),36A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 15 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2V @ 25μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 9.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 620 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) :3.8W(Ta),37W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: LFPAK4(5x6)
封裝/外殼: SOT-1023,4-LFPAK
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
| 海角社区少妇高潮视频 | 国产精伦一区二区成人午夜精品 | 国产视频一视频二在线观看 | 日本精品视频在线观看 | 少妇人妻无套进入69 | 欧美肏屄久久电影 | 国产精品口爆吞精 | 国产天美传媒性色电影在线观看 | 国产中日韩噜久久 | 无码午夜精品一区二区三区视频 | 曰韩家庭妇人体无码视频 | 都市 激情 亚欧 经典 综合 | 成人毛片18女人毛片免费不卡在线 | 欧美精品高清一区二区 | 中文字幕国产精品 | 成人在线视频观看 | 影音先锋 91xav | 免费看三级,人妻 | 国产 日韩一二三区 | 疯狂婬荡娇喘高潮失禁AV国产 | 波多野结衣在线播放 | 色情脫衣舞在线观看视频 | 日韩欧美成人在线观看 | 91在线无码精品秘 入口丝袜 | 久久网成人视频免费看 | 91精品无码少妇a 6 2v久久蜜芽 | 美日韩手机理论视频 | 亚洲免费手机视频 | 成人h动漫精品一区二区竹菊影视 | 日本韩国在线不卡视频 | 国产黄色免费视频 | 国产人成一区二区三区影院 | 国产精品无码 the pron | 午夜精品久久久国模自慰 | 亚洲AV无码乱码精品国产 - 百度 | 日韩AE无码久久 | 国内美丰满少妇XXXX性PPX | 波多野在线结衣AV一区二区荷花影视 | 強姦婬片A片AAA毛片Mv | 国产熟妇毛多 A片欧美蜜臀 |