GHXS015A120S-D3 是一款1200V 、15A SiC肖特基二極管模塊(雙二極管組件)。SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應來提高性能。SemiQ SiC肖特基二極管在高溫下具有低導通電阻和出色的開關性能,簡化了電力電子系統的熱設計。
產品屬性
二極管配置:2 個獨立式
技術:SiC(碳化硅)肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):15A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 15 A
速度:快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:100 μA @ 1200 V
工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝:SOT-227
基本產品編號:GHXS015
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
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