商品名稱:UF4SC120030B7SSB
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
UF4SC120030B7SSB - 1200V、30mΩ G4 SiC FET 分立晶體管
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品: SiC FET
技術(shù):SiC
Vf - 正向電壓:1.35 V
Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V
安裝方式: SMD/SMT
封裝/外殼 D2PAK-7
下降時(shí)間:11 ns
Id - 持續(xù)漏極電流:56 A
通道數(shù) 1 通道
Pd - 功率耗散: 341 W
Rds On - 漏極-源極電阻: 39 mOhms
上升時(shí)間:20 ns
晶體管極性 N 溝道
典型關(guān)斷延遲時(shí)間:62 ns
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:26 ns
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:6 V
典型應(yīng)用
電動(dòng)汽車充電
光伏逆變器
開關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正電路
直流-直流轉(zhuǎn)換器電路
感應(yīng)加熱
UF4SC120030B7SSB - 該器件采用節(jié)省空間的 D2PAK-7L 封裝,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)裝配,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,是電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用的理想之選。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
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