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NVXR22S90M2SPM EliteSiC功率模塊采用緊湊型兼容封裝，具有更高的性能、效率和功率密度。該模塊設(shè)有采用六組配置的900V SiC MOSFET，設(shè)有壓配引腳，便于組裝和提高可靠性。該器件在基板上包含一個經(jīng)過優(yōu)化的引腳-翅片散熱片，并采用燒結(jié)技術(shù)，以實現(xiàn)可靠性和熱效率。該模塊的設(shè)計符合AQG324汽車標準。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類 ：分立半導體模塊

產(chǎn)品 ：碳化硅 (SiC) 模塊

類型 ：EliteSiC功率模塊

技術(shù) ：SiC

Vgs - 柵極-源極電壓 ：- 8 V, + 22 V

安裝風格 ：SMD/SMT

最小工作溫度 ：- 40°C

最大工作溫度 ：+ 175°C

配置 ：模塊

下降時間 ：48 ns

Id-連續(xù)漏極電流 ：510 A

Pd-功率耗散 ：900 W

Rds On-漏源導通電阻 ：2.7 mOhms

上升時間 ：94 ns

典型關(guān)閉延遲時間 ：295 ns

典型接通延遲時間 ：106 ns

Vds-漏源極擊穿電壓 ：900 V

Vgs th-柵源極閾值電壓 ：2.7 V

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