商品名稱:NXH400B100H4Q2F2PG
品牌:ON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NXH400B100H4Q2F2PG是一款包含雙通道飛跨電容升壓的電源模塊。集成場截止溝槽IGBT和Si/SiC二極管提供更低的傳導損耗和開關損耗,使設計人員能夠實現(xiàn)高效率和卓越的可靠性。
產品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:三級反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1 kV
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):164 A
功率 - 最大值:396 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,200A
電流 - 集電極截止(最大值):10 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):12687.7 pF @ 20 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:50-PIM (93x47)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LB11600JV-TLM-E
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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