商品名稱:NTMFS0D7N04XMT1G
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMFS0D7N04XMT1G 功率 MOSFET,單路,N 溝道,40V,0.7mΩ,323A,SO8-FL 5x6。
最新的 40V 標準柵極級功率 MOSFET 技術,具有同類最佳導通電阻,適用于電機驅動器應用。更低的導通電阻和更少的柵極電荷可降低傳導損耗和驅動損耗。良好的體二極管反向恢復軟度控制可降低電壓尖峰應力,無需額外的緩沖電路。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :9.18A (Ta), 323A (Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 0.7 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 180μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 71.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 4595 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 134W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN,5 引線
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LB11600JV-TLM-E
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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