商品名稱:NCV20072DMR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV20072DMR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-MSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV20072DMR2G運(yùn)算放大器提供軌至軌輸出操作、3 MHz 帶寬,并提供單路、雙路和四路配置。軌至軌工作使用戶能夠最佳利用整個(gè)電源電壓范圍,同時(shí)利用3 MHz 帶寬的優(yōu)勢。在 -40°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi),可在低至 2.7 V 的電源電壓下工作,高帶寬可提供每秒 2.8 V 的壓擺率,同時(shí)僅消耗 1.5 MHz 的帶寬,同時(shí)每個(gè)通道僅消耗 405 A 的靜態(tài)電流。
產(chǎn)品屬性
放大器類型:通用
電路數(shù):2
輸出類型:滿擺幅
壓擺率:2.4V/μs
增益帶寬積:3.2 MHz
電流 - 輸入偏置:5 pA
電壓 - 輸入補(bǔ)償:1.3 mV
電流 - 供電:420μA(x2 通道)
電流 - 輸出/通道:65 mA
電壓 - 跨度(最小值):2.7 V
電壓 - 跨度(最大值):36 V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q100
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP
應(yīng)用
● 電流感應(yīng)
● 信號(hào)調(diào)節(jié)
● 汽車
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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