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NVMFS5C468NWFT1G 是適用于緊湊和高效設計的40V，35A，12mΩ功率MOSFET，采用 5x6mm 扁平引線封裝，且具有較高的熱性能。可用于增強光學檢測的可潤濕側翼選項。該器件通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET，符合生產(chǎn)件批準程序 (PPAP)，適用于汽車應用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Ta），35A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：12 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：7.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），28W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝，可潤濕側翼

供應商器件封裝：5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

基本產(chǎn)品編號：NVMFS5

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