商品名稱:NCP13992ANDR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCP13992ANDR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:16-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCP13992ANDR2G是一款用于半橋諧振轉(zhuǎn)換器的高性能電流模式控制器。該控制器采用 600 V柵極驅(qū)動器,簡化了布局并減少了外部元件數(shù)量。內(nèi)置的斷電輸入功能簡化了控制器在所有應(yīng)用中的實施。在需要 PFC 前級的應(yīng)用中,有一個專用輸出來驅(qū)動 PFC 控制器。該功能與靜音跳過模式技術(shù)進一步提高了整個應(yīng)用的輕負載效率。提供一整套保護功能,可在任何應(yīng)用中安全運行。
產(chǎn)品屬性
輸出隔離:隔離
內(nèi)部開關(guān):無
電壓 - 擊穿:600V
拓撲:半橋
電壓 - 啟動:15.8 V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 20V
占空比:50%
頻率 - 開關(guān):20kHz ~ 750kHz
故障保護:限流,過載,超溫,過壓,短路
控制特性:頻率控制,軟啟動
工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ)
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)14 引線
供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC
安裝類型:表面貼裝型
應(yīng)用
● 適配器和離線電池充電器
● 平板顯示器電源轉(zhuǎn)換器
● 計算電源
● 工業(yè)和醫(yī)療電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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