商品名稱:NCP189CMTW180TAG
數(shù)據(jù)手冊:NCP189CMTW180TAG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:6-WDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCP189CMTW180TAG 是一款 0.5 A LDO、新一代高 PSRR、低噪聲和低壓差穩(wěn)壓器,具有電源良好集電極開路功能。專為滿足射頻和敏感模擬電路的要求而設計。器件具有低噪聲、高 PSRR 和低靜態(tài)電流的特性,同時還能調(diào)節(jié)低至 0.6 V 的輸出電壓。該器件還具有出色的負載/線路瞬態(tài)性能,可與 4.7 F 的輸入和輸出陶瓷電容器配合使用。它采用行業(yè)標準的 WDFNW60.65P, 2 mm x 2 mm。
產(chǎn)品屬性
輸出配置:正
輸出類型:固定
穩(wěn)壓器數(shù):1
電壓 - 輸入(最大值):5.5V
電壓 - 輸出(最小值/固定):1.8V
電壓降(最大值):0.093V @ 500mA
電流 - 輸出:500mA
電流 - 靜態(tài) (Iq):55 μA
控制特性:使能,電源良好,軟啟動
保護功能:過流,超溫
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:6-WDFNW(2x2)
應用
● 通信系統(tǒng)
● 車載網(wǎng)絡
● 遠程信息處理、信息娛樂和集群
● 通用汽車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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