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UF4SC120023K4S 是一款 1200V、23mW G4 SiC FET。它采用獨特的 "級聯(lián) "電路配置。與 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常關(guān)斷 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許矽 IGBT、矽 FET、SiC MOSFET 或矽超結(jié)器件的真正 "即插即用替代品"。該器件采用 TO-247-4L 封裝，具有超低柵極電荷和超高穩(wěn)定性。具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，是開關(guān)器件的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：53A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：29 毫歐 @ 40A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：37.8 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1430 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：385W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

● 車載充電

● 工業(yè)電池充電器

● 太陽能中的PFC

● 工業(yè)電源

● 電焊機

● 不間斷電源（UPS）

● 感應(yīng)加熱

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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