商品名稱:NCV7420D24R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV7420D24R2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:14-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV7420D24R2G 是一款功能齊全的本地互連網絡 (LIN)收發(fā)器,設計用于連接 LIN 協(xié)議控制器和物理總線之間的接口。收發(fā)器采用 I3T技術實現(xiàn),使高壓模擬電路和數(shù)字功能共存于同一芯片上。該器件集成了 LIN v2.0/2.1 物理收發(fā)器及 3.3 V 或 5 V 穩(wěn)壓器。LIN 總線設計用于從控制設備(如門鎖、后視鏡、車門和車窗)傳輸?shù)退俾蕯?shù)據(jù)。
產品屬性
類型:收發(fā)器
協(xié)議:LINbus
驅動器/接收器數(shù):1/1
雙工:半
接收器滯后:175 mV
電壓 - 供電:3.3V,5V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:14-SOIC
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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