商品名稱:IPBE65R115CFD7A
數(shù)據(jù)手冊:IPBE65R115CFD7A.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8000 件
IPBE65R115CFD7A 650V N溝道MOSFET晶體管,封裝為TO-263-7(表面貼裝型)。
型號:IPBE65R115CFD7A
FET類型:N通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極-源極電壓(Vdss):650 V
電流-25°C時(shí)的連續(xù)漏極(Id):21A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
Id時(shí)的Rds On(Max),9.7A、10V時(shí)的Vgs:115m歐姆
Vgs(th)(最大值)@Id:4.5V@490μA
柵極電荷(Qg)(最大)@Vgs:41 nC@10 V
產(chǎn)品特征
650V汽車合格技術(shù),集成快速體二極管,具有超低的Qrr
Kelvin源觸點(diǎn)可用
更低的開關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率
高質(zhì)量和可靠性
N溝道MOSFET晶體管IPBE65R115CFD7A集成電路芯片650V TO-263-7
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描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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