商品名稱:AFGB40T65SQDN
數(shù)據(jù)手冊(cè):AFGB40T65SQDN.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
AFGB40T65SQDN IGBT 晶體管 650V/40A FS4 IGBT。
產(chǎn)品規(guī)格
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) 160 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值 238 W
開(kāi)關(guān)能量 858μJ(開(kāi)),229μJ(關(guān))
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 76 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值 17.6ns/75.2ns
測(cè)試條件 400V,40A,6 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 131 ns
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK-3(TO-263-3)
典型應(yīng)用
? 汽車(chē)板載充電器
? 用于HEV的汽車(chē)DC/DC轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
| 艳妇臀荡乳欲伦无码豪妇荡乳 | 久久无码人妻一区二区三区 | 精品国产高清在线观看 | 国产精品一区在线观看 | 中文字幕在线观看一区二区三区四区 | 中文字幕无码素人久久高清 | 成人手机视频在线观看 | 日韩欧美国产麻豆 | 岛国av一区二区 | 国产人妻人伦精品熟女A玄幻 | 精品一区二区三区四区 | 人妻少妇av中文字幕乱码牛牛 | 波多野在线结衣AV一区二区荷花影视 | 亚洲无码熟妻国产 | 在线观看成人无码 | 日韩电影在线观看一区 | 欧亚乱熟女一区二区在线 | 国产亲子伦XXXXX熟妇91 | 日本黄色视频免费观看 | 亚州精品久久无码 | 亚洲第一精品在线观看视频 | 精品无码国产一区二区三区5安 | 一区二又大又粗又黄的 | 国产精品无码在线观看 | 男女XX00动态图 | 精品国产鲁一鲁一区二区真希友田 | 第一页综合巨中文字幕 | 囯产精品久久久久久久久久辛辛 | 日本怡红院视频www色 | 日本欧美久久久久免费播放网 | 乱码一区二区三区四区高清视频 | 91在线无码精品秘 入口男同 | 婷婷综合在线观看 | 国产成人av在线免播放观看18 | 极品av粉嫩小仙女高潮喷水 | 亚洲国产成人精品女人久久久久 | 波多野结衣无码高清中文字幕在线自慰 | 日韩午夜精品人妻无码一区二区 | 人人人爽人爽人人人爽人爽日韩视频 | 国产 成人妇 视频 精品一区二区三区视频 |