商品名稱:AR0135CS2M25SUEA0-TPBR
數(shù)據(jù)手冊(cè):AR0135CS2M25SUEA0-TPBR.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:63-iBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AR0135CS 是一款1/3英寸120萬像素CMOS數(shù)字圖像傳感器,具有1280(H)×960(V)的有源像素陣列。該傳感器適用于滿足工業(yè)、消費(fèi)品和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的挑戰(zhàn)性要求。AR0135 傳感器結(jié)合了新型創(chuàng)新全局快門像素設(shè)計(jì),與前代產(chǎn)品相比暗電流降低了 10 倍,快門效率提高了 4 倍。這些性能改善讓該傳感器能夠在低光度和亮度場(chǎng)景以及高溫環(huán)境中產(chǎn)生清晰的無噪點(diǎn)圖像。此性能在三維掃描器、手勢(shì)識(shí)別設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了所需的眼部跟蹤和手勢(shì)檢測(cè)功能。
器件:AR0135CS2M25SUEA0-TPBR
產(chǎn)品種類:圖像傳感器
類型:CMOS
像素大?。?.75μm x 3.75μm
有源像素陣列:1280H x 960V
每秒幀數(shù):60
電壓 - 供電:1.8V ~ 2.8V
封裝/外殼:63-LBGA
供應(yīng)商器件封裝:63-iBGA(9x9)
工作溫度:-30°C ~ 70°C
基本產(chǎn)品編號(hào):AR0135
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
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AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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