商品名稱:IPT009N06NM5
數(shù)據手冊:IPT009N06NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPT009N06NM5是一款采用Toll封裝的60V OptiMOS?5 N溝道功率MOSFET。Infineon的TO無引腳封裝針對叉車、輕型電動汽車(LEV)、負載點(POL)和電信等高電流應用進行了優(yōu)化。該封裝是高功率應用的完美解決方案,這些應用需要最高的效率、出色的EMI性能以及最佳的熱性能和空間縮減。
規(guī)格
產品種類: MOSFET
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 427 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Qg-柵極電荷 56 nC
最小工作溫度: - 55°C
最大工作溫度: + 175°C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
下降時間: 31 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 63 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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