商品名稱:BSC027N10NS5
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSC027N10NS5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BSC027N10NS5的設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可達(dá)到并超過(guò)能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應(yīng)用包括計(jì)算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。它們還可用于開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機(jī)控制、微型太陽(yáng)能逆變器和快速開(kāi)關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):23A(Ta),100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.7 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.8V @ 146μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):111 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):8200 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):3W(Ta),214W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TSON-8-3
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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