商品名稱:IQD009N06NM5CG
數(shù)據(jù)手冊:IQD009N06NM5CG.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:9-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IQD009N06NM5CG 是 60V OptiMOS? 功率 MOSFET 晶體管,采用 PQFN 5x6 mm2 源降封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。它具有 0.9 mΩ 的超低 RDS(on),并具有出色的熱性能,便于功率損耗管理。
特性概述
尖端硅技術(shù) OptiMOS? 60 V,具有出色的 FOM
源降封裝,具有更好的散熱性能和超低寄生效應
源降封裝,最大限度地提高了芯片/封裝比
采用中心柵基底面的源下式封裝
優(yōu)勢
傳導損耗最小
降低電壓過沖
提高最大電流能力
快速開關(guān)
所需的器件并聯(lián)更少
中心柵極基底面實現(xiàn)了優(yōu)化并行化
在 5x6 平方毫米印刷電路板面積上實現(xiàn)極低的 RDS(on)
熱性能提高,便于熱管理
最低封裝寄生,實現(xiàn)最佳開關(guān)性能
行業(yè)標準封裝
潛在應用
電池供電應用
電池供電工具
電池管理
低壓驅(qū)動
OM
源降封裝,具有更好的散熱性能和超低寄生電阻
最大化芯片/封裝比的源降封裝
采用中心柵基底面的源下式封裝
優(yōu)勢
傳導損耗最小
降低電壓過沖
提高最大電流能力
快速開關(guān)
所需的器件并聯(lián)更少
中心柵極基底面實現(xiàn)了優(yōu)化并行化
在 5x6 平方毫米印刷電路板面積上實現(xiàn)盡可能低的 RDS(on)
熱性能提高,便于熱管理
最低封裝寄生,實現(xiàn)最佳開關(guān)性能
行業(yè)標準封裝
潛在應用
SMPS
電信
服務器
電動工具
低壓驅(qū)動
電池管理
D 類音頻應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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